참고용
| 부품 번호 | IPD160N04LG |
| LIXINC Part # | IPD160N04LG |
| 제조사 | Rochester Electronics |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | IPD160N04LG PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 11 - Oct 15 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
|
| 배송 |  |
| 부품 번호: | IPD160N04LG |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | * |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | - |
| 기술: | - |
| 드레인-소스 전압(vdss): | - |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | - |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
| rds on(최대) @ id, vgs: | - |
| vgs(일)(최대) @ id: | - |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | - |
| 작동 온도: | - |
| 장착 유형: | - |
| 공급자 장치 패키지: | - |
| 패키지/케이스: | - |
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STB34NM60ND | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 1817 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IXFH400N075T2 | MOSFET N-CH 75V 400A TO247AD | 934 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTNS3A67PZT5G | MOSFET P-CH 20V SOT883 | 831 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SIS402DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | 944 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CSD19534Q5A | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | 21659 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IXTA120P065T-TRL | MOSFET P-CH 65V 120A TO263 | 1645 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FCPF150N65F | MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F | 18771840 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BMS3003-1E | BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI | 821 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NVMFS5C404NLWFT3G | MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN | 983 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STP12NK80Z | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB | 1452 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10802 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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