참고용
부품 번호 | BUK7516-55A,127 |
LIXINC Part # | BUK7516-55A,127 |
제조사 | Rochester Electronics |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | PFET, 65.7A I(D), 55V, 0.016OHM, |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | BUK7516-55A,127 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | BUK7516-55A,127 |
상표: | Rochester Electronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Rochester Electronics |
시리즈: | TrenchMOS™ |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 55 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 65.7A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 16mOhm @ 25A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 4V @ 1mA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
vgs(최대): | ±20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 2.245 pF @ 25 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 138W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
공급자 장치 패키지: | TO-220AB |
패키지/케이스: | TO-220-3 |
IRFI830GPBF | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 | 1504 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DMN10H170SFGQ-7 | MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 | 922 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DMP2035UVT-7 | MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26 | 1795 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPP120P04P4L03AKSA2 | MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 | 1103 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NDDP010N25AZT4H | MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA | 822 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFB7434GPBF | 40V STRONGIRFET N CHANNEL | 7100 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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XP233N05013R-G | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3 | 3928 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NVMFS5C670NLWFAFT1G | MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN | 817 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 15192 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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