참고용
부품 번호 | TK10J80E,S1E |
LIXINC Part # | TK10J80E,S1E |
제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | TK10J80E,S1E PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | TK10J80E,S1E |
상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
시리즈: | π-MOSVIII |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 800 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 1Ohm @ 5A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 4V @ 1mA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 46 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±30V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 2000 pF @ 25 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 250W (Tc) |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
공급자 장치 패키지: | TO-3P(N) |
패키지/케이스: | TO-3P-3, SC-65-3 |
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재고 | 10876 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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