참고용
부품 번호 | SCT3080AW7TL |
LIXINC Part # | SCT3080AW7TL |
제조사 | ROHM Semiconductor |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | TRANS SJT N-CH 650V 29A TO263-7 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | SCT3080AW7TL PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Jul 08 - Jul 12 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | ![]() |
배송 | ![]() |
부품 번호: | SCT3080AW7TL |
상표: | ROHM Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | ROHM Semiconductor |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
드레인-소스 전압(vdss): | 650 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 29A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
rds on(최대) @ id, vgs: | 104mOhm @ 10A, 18V |
vgs(일)(최대) @ id: | 5.6V @ 5mA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 48 nC @ 18 V |
vgs(최대): | +22V, -4V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 571 pF @ 500 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 125W |
작동 온도: | 175°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | TO-263-7 |
패키지/케이스: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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