참고용
| 부품 번호 | 2SJ254 |
| LIXINC Part # | 2SJ254 |
| 제조사 | Rochester Electronics |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | P-CHANNEL POWER MOSFET |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | 2SJ254 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 28 - Oct 02 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
|
| 배송 |  |
| 부품 번호: | 2SJ254 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | * |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | - |
| 기술: | - |
| 드레인-소스 전압(vdss): | - |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | - |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
| rds on(최대) @ id, vgs: | - |
| vgs(일)(최대) @ id: | - |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | - |
| 작동 온도: | - |
| 장착 유형: | - |
| 공급자 장치 패키지: | - |
| 패키지/케이스: | - |
 |
IRLU3110ZPBF | MOSFET N-CH 100V 42A IPAK | 976 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
IRFU110PBF | MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA | 7241 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
NTD5802NT4G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1588 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
DMP3008SFGQ-13 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 1146 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
AO4425 | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 108854 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AUIRFS4115 | MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK | 4793 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
TPH5900CNH,L1Q | MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP | 815 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SI2315BDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 118768 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPD050N03LGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 1579 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
BUK664R8-75C,118 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 5609 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
AOWF095A60 | MOSFET N-CH 600V 38A TO262F | 1956 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SI4408DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 14A 8SO | 5713 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
IPN80R600P7ATMA1 | MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 | 1771 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 18798 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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