참고용
| 부품 번호 | SIHD1K4N60E-GE3 |
| LIXINC Part # | SIHD1K4N60E-GE3 |
| 제조사 | Vishay / Siliconix |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | SIHD1K4N60E-GE3 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 23 - Oct 27 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | SIHD1K4N60E-GE3 |
| 상표: | Vishay / Siliconix |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Vishay / Siliconix |
| 시리즈: | E |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | N-Channel |
| 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 600 V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 4.2A (Tc) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
| rds on(최대) @ id, vgs: | 1.45Ohm @ 500mA, 10V |
| vgs(일)(최대) @ id: | 5V @ 250µA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 7.5 nC @ 10 V |
| vgs(최대): | ±30V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 172 pF @ 100 V |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | 63W (Tc) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지: | TO-252AA |
| 패키지/케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| 재고 | 13765 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.22000 | $1.22 |
| 10 | $1.08691 | $10.8691 |
| 100 | $0.86537 | $86.537 |
| 500 | $0.67808 | $339.04 |
| 1000 | $0.54184 | $541.84 |
| 2500 | $0.50778 | $1269.45 |
| 5000 | $0.48394 | $2419.7 |
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