참고용
부품 번호 | GA05JT12-263 |
LIXINC Part # | GA05JT12-263 |
제조사 | GeneSiC Semiconductor |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | TRANS SJT 1200V 15A D2PAK |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | GA05JT12-263 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Sep 26 - Sep 30 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | GA05JT12-263 |
상표: | GeneSiC Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | GeneSiC Semiconductor |
시리즈: | - |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | - |
기술: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
드레인-소스 전압(vdss): | 1200 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 15A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
rds on(최대) @ id, vgs: | - |
vgs(일)(최대) @ id: | - |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
vgs(최대): | - |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 106W (Tc) |
작동 온도: | 175°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | D2PAK (7-Lead) |
패키지/케이스: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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재고 | 10977 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $11.78000 | $11.78 |
10 | $10.59790 | $105.979 |
50 | $9.65550 | $482.775 |
100 | $8.71340 | $871.34 |
250 | $8.00691 | $2001.7275 |
500 | $7.30042 | $3650.21 |
1000 | $6.59393 | $6593.93 |
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