DMN90H2D2HCTI | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

크게 하다

참고용

부품 번호	DMN90H2D2HCTI
LIXINC Part #	DMN90H2D2HCTI
제조사	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명	MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	DMN90H2D2HCTI PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Sep 25 - Sep 29 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
지불
배송

DMN90H2D2HCTI 명세서

부품 번호:	DMN90H2D2HCTI
상표:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
시리즈:	-
패키지:	Tube
부품 상태:	Active
페트 유형:	N-Channel
기술:	MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):	900 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:	6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):	10V
rds on(최대) @ id, vgs:	2.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:	5V @ 250µA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:	20.3 nC @ 10 V
vgs(최대):	±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:	1487 pF @ 25 V
fet 기능:	-
전력 손실(최대):	40W (Tc)
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형:	Through Hole
공급자 장치 패키지:	ITO-220AB
패키지/케이스:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRF8788TRPBF	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO	1476 주문에 대해 자세히 알아보기
IPB60R080P7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK	1938 주문에 대해 자세히 알아보기
AOB7S60L	MOSFET N-CH 600V 7A TO263	960 주문에 대해 자세히 알아보기
PHD101NQ03LT,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	4921 주문에 대해 자세히 알아보기
RTR030P02HZGTL	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3	3309 주문에 대해 자세히 알아보기
AUIRF2907ZS7PTL	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	924 주문에 대해 자세히 알아보기
IPB80N03S4L03	N-CHANNEL POWER MOSFET	2984 주문에 대해 자세히 알아보기
AOW20S60	MOSFET N-CH 600V 20A TO262	924 주문에 대해 자세히 알아보기
APT1001RBVRG	MOSFET N-CH 1000V 11A TO247	932 주문에 대해 자세히 알아보기
BUK753R8-80E,127	TRANSISTOR >30MHZ	4599 주문에 대해 자세히 알아보기
AUIRFS8409-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	950 주문에 대해 자세히 알아보기
IPP60R250CPXK	N-CHANNEL POWER MOSFET	904 주문에 대해 자세히 알아보기
IRFIB5N65APBF	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3	1599 주문에 대해 자세히 알아보기