참고용
| 부품 번호 | IPS135N03LG |
| LIXINC Part # | IPS135N03LG |
| 제조사 | Rochester Electronics |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | IPS135N03LG PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 24 - Sep 28 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
|
| 배송 |  |
| 부품 번호: | IPS135N03LG |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | * |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | - |
| 기술: | - |
| 드레인-소스 전압(vdss): | - |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | - |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
| rds on(최대) @ id, vgs: | - |
| vgs(일)(최대) @ id: | - |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | - |
| 작동 온도: | - |
| 장착 유형: | - |
| 공급자 장치 패키지: | - |
| 패키지/케이스: | - |
 |
IPSA70R1K4CEAKMA1 | MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3 | 2293 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
SI9435BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO | 4177 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFU120NPBF | MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK | 2275 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
AUIRFR120ZTRL | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | 3920 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
IPL65R070C7AUMA1 | MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON | 2643 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
STP5NK100Z | MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB | 832 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SI7862ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 | 3719 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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2SK1947-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1386 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DMPH3010LK3-13 | MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252 | 8303 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTD4856N-1G | MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK | 3957 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
STB20NM60D | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 1954 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
NTD20N06-1G | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | 2338 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
IPP65R660CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5366 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 13807 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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