참고용
부품 번호 | TPH3205WSBQA |
LIXINC Part # | TPH3205WSBQA |
제조사 | Transphorm |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | GANFET N-CH 650V 35A TO247-3 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | TPH3205WSBQA PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Jul 08 - Jul 12 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | ![]() |
배송 | ![]() |
부품 번호: | TPH3205WSBQA |
상표: | Transphorm |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Transphorm |
시리즈: | Automotive, AEC-Q101 |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Not For New Designs |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인-소스 전압(vdss): | 650 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 62mOhm @ 22A, 8V |
vgs(일)(최대) @ id: | 2.6V @ 700µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 42 nC @ 8 V |
vgs(최대): | ±18V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 2200 pF @ 400 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 125W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
공급자 장치 패키지: | TO-247-3 |
패키지/케이스: | TO-247-3 |
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재고 | 11246 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $22.97000 | $22.97 |
10 | $21.24725 | $212.4725 |
30 | $19.52450 | $585.735 |
120 | $18.14628 | $2177.5536 |
270 | $16.65325 | $4496.3775 |
510 | $16.07900 | $8200.29 |
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