참고용
| 부품 번호 | MTB16N25ET4 |
| LIXINC Part # | MTB16N25ET4 |
| 제조사 | Rochester Electronics |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | MTB16N25ET4 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Jul 05 - Jul 09 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
|
| 배송 |  |
| 부품 번호: | MTB16N25ET4 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | * |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | - |
| 기술: | - |
| 드레인-소스 전압(vdss): | - |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | - |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
| rds on(최대) @ id, vgs: | - |
| vgs(일)(최대) @ id: | - |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | - |
| 작동 온도: | - |
| 장착 유형: | - |
| 공급자 장치 패키지: | - |
| 패키지/케이스: | - |
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IXFK44N80P | MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA | 1567 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IXFX200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3 | 879 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SI3407DV-T1-BE3 | MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP | 3933 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPB120P04P404ATMA2 | MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 | 3775 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BUK7E2R7-30B,127 | PFET, 75A I(D), 30V, 0.0027OHM, | 1782 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
IPD50R500CEBTMA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 16918 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AOWF11N60 | MOSFET N-CH 600V 11A TO262F | 870 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FQPF3N60 | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | 3259 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FCMT180N65S3 | MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 | 1657875 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 185768 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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