참고용
부품 번호 | FDD7N20TM |
LIXINC Part # | FDD7N20TM |
제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | FDD7N20TM PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | FDD7N20TM |
상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
시리즈: | UniFET™ |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 200 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 5A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 690mOhm @ 2.5A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 5V @ 250µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 6.7 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±30V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 250 pF @ 25 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 43W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | D-Pak |
패키지/케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPB65R125C7ATMA1 | PFET, 18A I(D), 650V, 0.125OHM, | 47159 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFZ48NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK | 853 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MCH6627-TL-E | P-CHANNEL SILICON MOSFET | 990504 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTLGF3402PT2G | SINGLE P-CHANNEL AND SCHOTTKY D | 117951 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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RD3P130SPTL1 | MOSFET P-CH 100V 13A TO252 | 2609 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRF250P225 | MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC | 1661 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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XN0NE9200L | MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI5-G1 | 5561 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPP60R280E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 | 1487 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 12769 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.74000 | $0.74 |
2500 | $0.29750 | $743.75 |
5000 | $0.27808 | $1390.4 |
12500 | $0.26837 | $3354.625 |
25000 | $0.26308 | $6577 |
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