참고용
| 부품 번호 | TK16J60W,S1VE |
| LIXINC Part # | TK16J60W,S1VE |
| 제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | TK16J60W,S1VE PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 21 - Sep 25 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | TK16J60W,S1VE |
| 상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 시리즈: | * |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | - |
| 기술: | - |
| 드레인-소스 전압(vdss): | - |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | - |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
| rds on(최대) @ id, vgs: | - |
| vgs(일)(최대) @ id: | - |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | - |
| 작동 온도: | - |
| 장착 유형: | - |
| 공급자 장치 패키지: | - |
| 패키지/케이스: | - |
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IPA95R450P7XKSA1 | MOSFET N-CH 950V 14A TO220 | 866 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AOC2421 | MOSFET P-CH 8V 2.5A 4ALPHADFN | 927 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PMV30XPAR | MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB | 9781 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SPP06N60C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 881 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IAUC120N04S6L009ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 | 987 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTMFS5C430NLT3G | MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN | 981 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDN308P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3 | 1633 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AUIRLR024Z | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 27342 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPA60R190C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP | 8068 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IXFP56N30X3 | MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB | 998 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SCT2160KEC | SICFET N-CH 1200V 22A TO247 | 5337 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10929 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.81000 | $4.81 |
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