참고용
부품 번호 | SSM6J207FE,LF |
LIXINC Part # | SSM6J207FE,LF |
제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | SSM6J207FE,LF PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Sep 25 - Sep 29 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | SSM6J207FE,LF |
상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
시리즈: | U-MOSII |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | P-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 30 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 1.4A (Ta) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 4V, 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 251mOhm @ 650mA, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 2.6V @ 1mA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
vgs(최대): | ±20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 137 pF @ 15 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 500mW (Ta) |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | ES6 (1.6x1.6) |
패키지/케이스: | SOT-563, SOT-666 |
BSP89,115 | MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 | 13742 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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재고 | 10996 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.11899 | $0.11899 |
4000 | $0.11899 | $475.96 |
8000 | $0.11178 | $894.24 |
12000 | $0.10457 | $1254.84 |
28000 | $0.10096 | $2826.88 |
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