참고용
부품 번호 | FDS2170N3 |
LIXINC Part # | FDS2170N3 |
제조사 | Rochester Electronics |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | FDS2170N3 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | FDS2170N3 |
상표: | Rochester Electronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Rochester Electronics |
시리즈: | PowerTrench® |
패키지: | Bulk |
부품 상태: | Obsolete |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 200 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 3A (Ta) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 128mOhm @ 3A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 4.5V @ 250µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 1.292 pF @ 100 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 3W (Ta) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | 8-SOIC |
패키지/케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
NTMFS4936NCT1G | 11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE | 15854 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DMN65D8L-7 | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 | 646574 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AON6382 | MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN | 929 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTD23N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK | 14419 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFP350LCPBF | MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 | 1328 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRF7807VPBF | HEXFET POWER MOSFET | 842 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 804 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 13561 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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