AIMW120R045M1XKSA1

AIMW120R045M1XKSA1
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부품 번호 AIMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part # AIMW120R045M1XKSA1
제조사 IR (Infineon Technologies)
범주 이산 반도체트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명 TRANS SJT N-CH 1200V 52A TO247-3
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 AIMW120R045M1XKSA1 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Jul 09 - Jul 13 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AIMW120R045M1XKSA1 명세서

부품 번호:AIMW120R045M1XKSA1
상표:IR (Infineon Technologies)
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:IR (Infineon Technologies)
시리즈:Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
패키지:Tube
부품 상태:Active
페트 유형:N-Channel
기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압(vdss):1200 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:52A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
rds on(최대) @ id, vgs:59mOhm @ 20A, 15V
vgs(일)(최대) @ id:5.7V @ 10mA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:57 nC @ 15 V
vgs(최대):+20V, -7V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:2130 pF @ 800 V
fet 기능:-
전력 손실(최대):228W (Tc)
작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형:Through Hole
공급자 장치 패키지:PG-TO247-3
패키지/케이스:TO-247-3

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