참고용
| 부품 번호 | A2G35S200-01SR3 |
| LIXINC Part # | A2G35S200-01SR3 |
| 제조사 | NXP Semiconductors |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 설명 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | A2G35S200-01SR3 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | A2G35S200-01SR3 |
| 상표: | NXP Semiconductors |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 제조사: | NXP Semiconductors |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | GaN HEMT |
| 빈도: | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 얻다: | 16.1dB |
| 전압 - 테스트: | 48 V |
| 전류 정격(암페어): | - |
| 노이즈 피겨: | - |
| 현재 - 테스트: | 291 mA |
| 전력 - 출력: | 180W |
| 전압 - 정격: | 125 V |
| 패키지/케이스: | NI-400S-2S |
| 공급자 장치 패키지: | NI-400S-2S |
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| 재고 | 11144 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $264.51000 | $264.51 |
| 250 | $123.43584 | $30858.96 |
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