참고용
| 부품 번호 | GTVA123501FA-V1-R0 |
| LIXINC Part # | GTVA123501FA-V1-R0 |
| 제조사 | Wolfspeed - a Cree company |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 설명 | 350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | GTVA123501FA-V1-R0 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | GTVA123501FA-V1-R0 |
| 상표: | Wolfspeed - a Cree company |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - rf |
| 제조사: | Wolfspeed - a Cree company |
| 시리즈: | GaN |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | HEMT |
| 빈도: | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 얻다: | 20dB |
| 전압 - 테스트: | 50 V |
| 전류 정격(암페어): | - |
| 노이즈 피겨: | - |
| 현재 - 테스트: | 100 mA |
| 전력 - 출력: | 350W |
| 전압 - 정격: | 125 V |
| 패키지/케이스: | H-37265J-2 |
| 공급자 장치 패키지: | H-37265J-2 |
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BLA6H1011-600,112 | RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI | 994 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLS9G3135L-115U | BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY | 956 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLP05H6150XRY | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | 1028 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MMRF1304NR1 | FET RF 133V 512MHZ TO270-2 | 926 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLF7G22LS-160,112 | RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI | 897 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MMRF1006HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 897 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLF7G20LS-200,112 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | 838 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BLF6G38-10G,118 | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C | 997 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MMBFJ310LT3G | RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 | 655650895 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HIP5011IB | COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE | 3171 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
BF909WR,115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3854 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
TA9210D | RF GAN TRANSISTOR 12.5W | 860 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
A2I25H060GNR1 | IC TRANS RF LDMOS | 886 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 11032 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $657.14000 | $657.14 |
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