참고용
| 부품 번호 | PMGD8000LN,115 |
| LIXINC Part # | PMGD8000LN,115 |
| 제조사 | NXP Semiconductors |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 펫, 모스펫 - 어레이 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | PMGD8000LN,115 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | PMGD8000LN,115 |
| 상표: | NXP Semiconductors |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - 펫, 모스펫 - 어레이 |
| 제조사: | NXP Semiconductors |
| 시리즈: | TrenchMOS™ |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 페트 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
| fet 기능: | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 30V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 125mA |
| rds on(최대) @ id, vgs: | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| vgs(일)(최대) @ id: | 1.5V @ 100µA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 0.35nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 18.5pF @ 5V |
| 전력 - 최대: | 200mW |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지: | 6-TSSOP |
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| 재고 | 10865 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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