참고용
부품 번호 | SQJ262EP-T1_GE3 |
LIXINC Part # | SQJ262EP-T1_GE3 |
제조사 | Vishay / Siliconix |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 펫, 모스펫 - 어레이 |
설명 | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | SQJ262EP-T1_GE3 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | SQJ262EP-T1_GE3 |
상표: | Vishay / Siliconix |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - 펫, 모스펫 - 어레이 |
제조사: | Vishay / Siliconix |
시리즈: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
fet 기능: | Standard |
드레인-소스 전압(vdss): | 60V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 15A (Tc), 40A (Tc) |
rds on(최대) @ id, vgs: | 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 2.5V @ 250µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 10nC @ 10V, 23nC @ 10V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V |
전력 - 최대: | 27W (Tc), 48W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | PowerPAK® SO-8 Dual |
공급자 장치 패키지: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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3000 | $0.55487 | $1664.61 |
6000 | $0.52882 | $3172.92 |
15000 | $0.51021 | $7653.15 |
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