NJVMJD45H11T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NJVMJD45H11T4G

NJVMJD45H11T4G

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참고용

부품 번호	NJVMJD45H11T4G
LIXINC Part #	NJVMJD45H11T4G
제조사	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일
설명	TRANS PNP 80V 8A DPAK-4
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	NJVMJD45H11T4G PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 26 - Oct 30 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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NJVMJD45H11T4G 명세서

부품 번호:	NJVMJD45H11T4G
상표:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일
제조사:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
시리즈:	Automotive, AEC-Q101
패키지:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
부품 상태:	Active
트랜지스터 유형:	PNP
전류 - 컬렉터(ic)(최대):	8 A
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):	80 V
vce 포화(최대) @ ib, ic:	1V @ 400mA, 8A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):	1µA
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:	60 @ 2A, 1V
전력 - 최대:	1.75 W
주파수 - 전환:	90MHz
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형:	Surface Mount
패키지/케이스:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지:	DPAK

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