참고용
| 부품 번호 | RN1103MFV,L3F(CT |
| LIXINC Part # | RN1103MFV,L3F(CT |
| 제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일, 사전 바이어스 |
| 설명 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | RN1103MFV,L3F(CT PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | RN1103MFV,L3F(CT |
| 상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일, 사전 바이어스 |
| 제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | NPN - Pre-Biased |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100 mA |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 50 V |
| 저항기 - 베이스(r1): | 22 kOhms |
| 저항 - 이미 터베이스 (r2): | 22 kOhms |
| dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 70 @ 10mA, 5V |
| vce 포화(최대) @ ib, ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 500nA |
| 주파수 - 전환: | - |
| 전력 - 최대: | 150 mW |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | SOT-723 |
| 공급자 장치 패키지: | VESM |
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| 재고 | 18747 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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