MT3S113P(TE12L,F)

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부품 번호 MT3S113P(TE12L,F)
LIXINC Part # MT3S113P(TE12L,F)
제조사 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
범주 이산 반도체트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf
설명 RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 MT3S113P(TE12L,F) PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT3S113P(TE12L,F) 명세서

부품 번호:MT3S113P(TE12L,F)
상표:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf
제조사:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
시리즈:-
패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
부품 상태:Active
트랜지스터 유형:NPN
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):5.3V
주파수 - 전환:7.7GHz
잡음 지수(db 일반 @ f):1.45dB @ 1GHz
얻다:10.5dB
전력 - 최대:1.6W
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
전류 - 컬렉터(ic)(최대):100mA
작동 온도:150°C (TJ)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:TO-243AA
공급자 장치 패키지:PW-MINI

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