참고용
| 부품 번호 | MT3S111P(TE12L,F) |
| LIXINC Part # | MT3S111P(TE12L,F) |
| 제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf |
| 설명 | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | MT3S111P(TE12L,F) PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | MT3S111P(TE12L,F) |
| 상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf |
| 제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | NPN |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 6V |
| 주파수 - 전환: | 8GHz |
| 잡음 지수(db 일반 @ f): | 1.25dB @ 1GHz |
| 얻다: | 10.5dB |
| 전력 - 최대: | 1W |
| dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 200 @ 30mA, 5V |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100mA |
| 작동 온도: | 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | TO-243AA |
| 공급자 장치 패키지: | PW-MINI |
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| 재고 | 18760 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.89000 | $0.89 |
| 1000 | $0.38250 | $382.5 |
| 2000 | $0.35700 | $714 |
| 5000 | $0.33915 | $1695.75 |
| 10000 | $0.32513 | $3251.3 |
| 25000 | $0.31620 | $7905 |
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