참고용
부품 번호 | HBDM60V600W-7 |
LIXINC Part # | HBDM60V600W-7 |
제조사 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이 |
설명 | TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | HBDM60V600W-7 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 06 - Oct 10 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | HBDM60V600W-7 |
상표: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이 |
제조사: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
트랜지스터 유형: | NPN, PNP |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 500mA, 600mA |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 65V, 60V |
vce 포화(최대) @ ib, ic: | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 100nA |
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
전력 - 최대: | 200mW |
주파수 - 전환: | 100MHz |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
공급자 장치 패키지: | SOT-363 |
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재고 | 2147484621 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.37000 | $0.37 |
3000 | $0.11595 | $347.85 |
6000 | $0.10965 | $657.9 |
15000 | $0.10335 | $1550.25 |
30000 | $0.09600 | $2880 |
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