참고용
| 부품 번호 | RN2607(TE85L,F) |
| LIXINC Part # | RN2607(TE85L,F) |
| 제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
| 설명 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | RN2607(TE85L,F) PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | RN2607(TE85L,F) |
| 상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
| 제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100mA |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 50V |
| 저항기 - 베이스(r1): | 10kOhms |
| 저항 - 이미 터베이스 (r2): | 47kOhms |
| dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| vce 포화(최대) @ ib, ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 100nA (ICBO) |
| 주파수 - 전환: | 200MHz |
| 전력 - 최대: | 300mW |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | SC-74, SOT-457 |
| 공급자 장치 패키지: | SM6 |
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IMH6AT108 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | 2736 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 11659 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.48000 | $0.48 |
| 3000 | $0.08820 | $264.6 |
| 6000 | $0.07938 | $476.28 |
| 15000 | $0.07056 | $1058.4 |
| 30000 | $0.06615 | $1984.5 |
| 75000 | $0.05880 | $4410 |
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