참고용
부품 번호 | NSBC114YPDP6T5G |
LIXINC Part # | NSBC114YPDP6T5G |
제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
설명 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | NSBC114YPDP6T5G PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | NSBC114YPDP6T5G |
상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
트랜지스터 유형: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100mA |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 50V |
저항기 - 베이스(r1): | 10kOhms |
저항 - 이미 터베이스 (r2): | 47kOhms |
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 80 @ 5mA, 10V |
vce 포화(최대) @ ib, ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 500nA |
주파수 - 전환: | - |
전력 - 최대: | 339mW |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | SOT-963 |
공급자 장치 패키지: | SOT-963 |
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재고 | 2147484549 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
8000 | $0.11119 | $889.52 |
16000 | $0.10185 | $1629.6 |
24000 | $0.09562 | $2294.88 |
56000 | $0.08836 | $4948.16 |
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