참고용
| 부품 번호 | NSVEMC2DXV5T1G |
| LIXINC Part # | NSVEMC2DXV5T1G |
| 제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
| 설명 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | NSVEMC2DXV5T1G PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | NSVEMC2DXV5T1G |
| 상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스 |
| 제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 트랜지스터 유형: | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100mA |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 50V |
| 저항기 - 베이스(r1): | 22kOhms |
| 저항 - 이미 터베이스 (r2): | 22kOhms |
| dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce: | 60 @ 5mA, 10V |
| vce 포화(최대) @ ib, ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 500nA |
| 주파수 - 전환: | - |
| 전력 - 최대: | 500mW |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | SOT-553 |
| 공급자 장치 패키지: | SOT-553 |
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RN1905,LF(CT | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 4246 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 1074104894 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.43000 | $0.43 |
| 4000 | $0.11435 | $457.4 |
| 8000 | $0.10742 | $859.36 |
| 12000 | $0.10049 | $1205.88 |
| 28000 | $0.09240 | $2587.2 |
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