참고용
| 부품 번호 | 1N8026-GA |
| LIXINC Part # | 1N8026-GA |
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 범주 | 이산 반도체 › 다이오드 - 정류기 - 단일 |
| 설명 | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | 1N8026-GA PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | 1N8026-GA |
| 상표: | GeneSiC Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 다이오드 - 정류기 - 단일 |
| 제조사: | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 다이오드 유형: | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - dc 역방향(vr)(최대): | 1200 V |
| 전류 - 평균 정류(io): | 8A (DC) |
| 전압 - 순방향(vf)(최대) @ if: | 1.6 V @ 2.5 A |
| 속도: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역회복 시간(trr): | 0 ns |
| 전류 - 역 누설 @ vr: | 10 µA @ 1200 V |
| 커패시턴스 @ vr, f: | 237pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | TO-257-3 |
| 공급자 장치 패키지: | TO-257 |
| 작동 온도 - 접합: | -55°C ~ 250°C |
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| 재고 | 10813 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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