참고용
| 부품 번호 | IDH04G65C5XKSA2 |
| LIXINC Part # | IDH04G65C5XKSA2 |
| 제조사 | IR (Infineon Technologies) |
| 범주 | 이산 반도체 › 다이오드 - 정류기 - 단일 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | IDH04G65C5XKSA2 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Jul 05 - Jul 09 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | IDH04G65C5XKSA2 |
| 상표: | IR (Infineon Technologies) |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 다이오드 - 정류기 - 단일 |
| 제조사: | IR (Infineon Technologies) |
| 시리즈: | CoolSiC™+ |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 다이오드 유형: | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - dc 역방향(vr)(최대): | 650 V |
| 전류 - 평균 정류(io): | 4A (DC) |
| 전압 - 순방향(vf)(최대) @ if: | 1.7 V @ 4 A |
| 속도: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역회복 시간(trr): | 0 ns |
| 전류 - 역 누설 @ vr: | 70 µA @ 650 V |
| 커패시턴스 @ vr, f: | 130pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | TO-220-2 |
| 공급자 장치 패키지: | PG-TO220-2-1 |
| 작동 온도 - 접합: | -55°C ~ 175°C |
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BYG22D-E3/TR3 | DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC | 3118 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 15333 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.39000 | $2.39 |
| 10 | $2.14768 | $21.4768 |
| 100 | $1.72611 | $172.611 |
| 500 | $1.41818 | $709.09 |
| 1000 | $1.17507 | $1175.07 |
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