IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1
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부품 번호 IPB120N06S4H1ATMA1
LIXINC Part # IPB120N06S4H1ATMA1
제조사 IR (Infineon Technologies)
범주 이산 반도체트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 IPB120N06S4H1ATMA1 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Sep 29 - Oct 03 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB120N06S4H1ATMA1 명세서

부품 번호:IPB120N06S4H1ATMA1
상표:IR (Infineon Technologies)
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:IR (Infineon Technologies)
시리즈:OptiMOS™
패키지:Tape & Reel (TR)
부품 상태:Discontinued at Digi-Key
페트 유형:N-Channel
기술:MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):60 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
rds on(최대) @ id, vgs:2.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:4V @ 200µA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:270 nC @ 10 V
vgs(최대):±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:21900 pF @ 25 V
fet 기능:-
전력 손실(최대):250W (Tc)
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형:Surface Mount
공급자 장치 패키지:PG-TO263-3-2
패키지/케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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