IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09
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부품 번호 IPD80N06S3-09
LIXINC Part # IPD80N06S3-09
제조사 Rochester Electronics
범주 이산 반도체트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명 MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 IPD80N06S3-09 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Sep 29 - Oct 03 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD80N06S3-09 명세서

부품 번호:IPD80N06S3-09
상표:Rochester Electronics
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:Rochester Electronics
시리즈:OptiMOS™
패키지:Bulk
부품 상태:Obsolete
페트 유형:N-Channel
기술:MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):55 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
rds on(최대) @ id, vgs:8.4mOhm @ 40A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:4V @ 55µA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:88 nC @ 10 V
vgs(최대):±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:6.1 pF @ 25 V
fet 기능:-
전력 손실(최대):107W (Tc)
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형:Surface Mount
공급자 장치 패키지:PG-TO252-3
패키지/케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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